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石铭老师简介

来源:3044am永利集团 作者: 编辑:bodahy 审核: 上传: 日期:2021-02-03 点击:

石铭(副教授)

教师背景

学历

所在学校

所在学院

时间

中科院上海技术物理研究所

微电子学与固体电子学

2011.9-2015.6

硕博

中国科技大学

电子科学与技术

2010.9-2011.6

本科

郑州大学

应用物理

2005.9-2009.6


研究领域

从事光电磁传感器、光通信技术的研究工作。通过结构设计、关键工艺攻关、表/界面缺陷能级微观表征、器件测试分析与仿真等手段,开展高性能1-3微米波段InGaAs短波红外光电探测器的研制;通过光学设计、精密磁感应单元设计、磁共振信号检测电路开发等手段,开展高灵敏度激光光泵原子磁力仪的研制,突破小型化和低功耗关键技术以实现工程化应用;进行可见光通信技术研究。在《Infrared Physics & Technology》、《红外与毫米波学报》、《红外与激光工程》、《中国电子科学研究院学报》等国内外学术期刊上,发表论文13余篇。申请国家专利6项,获得国家专利5项。


研究成果

[1]石铭. 基于激光源的高准确度He-Cs光泵磁力仪研究. 中国电子科学研究院学报, 2019, 14(01): 107-110.

[2]石铭, 王羚, 程泓勋等. 基于激光偏振调制的全光Cs原子磁力仪研究. 红外与激光工程, 2018, 47(09): 181-184.

[3]M. Shi, X. Shao, H. Tang, et al.ICPCVD passivation of n on p structure deep mesa extended wavelength InGaAs photodetectors. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2016, 35(1): 47-51.

[4]M. Shi, H. Tang, X. Shao, et al. Interface property of silicon nitride films grown by inductively coupled plasma chemical vapor deposition and plasma enhanced chemical vapor deposition on In0.82Al0.18As. Infrared Physics & Technology, 2015, 71: 384-388.

[5]M. Shi, X. Shao, H. Tang, et al. Inductively coupled plasma chemical vapor deposition silicon nitride for passivation of In0.83Ga0.17As photodiodes. Infrared Physics & Technology, 2014, 67: 197-201.

[6]Y. Zhou, X. Ji, M. Shi, et al. Impact of SiNx passivation on the surface properties of InGaAs photo-detectors. Journal of Applied Physics, 2015, 118(3): 034507.

[7]G. Cao, H. Tang, M. Shi, et al. Temperature dependence of Ohmic contacts of In0.83Ga0.17As photodiodes and its correlation with interface microstructure. Applied Physics A, 2015, 121(3): 1109-1114.

[8]J. Yang, M. Shi, X. Shao, et al. Low leakage of In0.83Ga0.17As photodiode with Al2O3/SiNx stacks. Infrared Physics & Technology, 2015, 71: 272-276.

[9]X. Huang, X. Li, M. Shi, et al. The 1/f noise characteristics of In0.83Ga0.17As photodiodes with SiNx passivation films fabricated by two different techniques. Infrared Physics & Technology, 2014, 67: 596-599.

[10]P. Wei, X. Li, M. Shi, et al. Surface passivation of In0.83Ga0.17As photodiode with high-quality SiN layer fabricated by ICPCVD at the lower temperature. Infrared Physics & Technology, 2014, 62: 13-17.

[11]石铭、王羚等,一种基于双吸收室的自激式激光光泵磁力仪系统,专利号:201811641202.9

[12]石铭、王羚等,一种无盲区光泵磁力仪探头,专利号:201711448924.8

[13]石铭、王羚等,一种无盲区激光光泵磁力仪探头,专利号:201711445442.7


研究项目

主持或参与国防科工局技术基础科研、科技部国家重点发展计划项目3项。


联系方式

邮箱:shiming104@163.com

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